導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：
1、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀溫度范圍是從RT至1500度,使用的是: 碳化硅加熱器爐, 即使碳化硅zui高加熱器能加熱到1600度，即使?fàn)t溫達(dá)到了1600度，樣品溫度肯定沒有達(dá)到1600度，并且碳化硅棒加熱器在空氣中使用到800℃時(shí)開始氧化，溫度達(dá)到1000——1300℃時(shí)，發(fā)熱部表面生成一層二氧化硅保護(hù)膜，1300℃時(shí)結(jié)晶出石英，在1500℃時(shí)，保護(hù)膜達(dá)到一定的厚度，從而使組件的氧化速度變得極為緩慢，趨于穩(wěn)定。如果繼續(xù)升溫至1550℃以上時(shí),則保護(hù)膜　受到破壞，氧化速度顯著增加，造成碳化硅棒加熱器組件過(guò)早損壞,所以碳化硅加熱器爐只能測(cè)試到RT至1500度,但是探測(cè)器仍然是InSb紅外探測(cè)器,控制爐溫及測(cè)試樣品溫度是熱電偶.
2、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀測(cè)試溫度范圍是從RT至1600度,使用的是: 二硅化鉬加熱器爐, 二硅化鉬加熱器zui高加熱溫度能加熱到1800度,從而保證樣品能測(cè)試到1600度, 但是探測(cè)器仍然是InSb紅外探測(cè)器,控制爐溫及測(cè)試樣品溫度是熱電偶(注明:其它廠商沒有二硅化鉬加熱器爐).
3、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀測(cè)試溫度范圍是從RT至2000度, 使用的是:石墨加熱爐(或鎢加熱爐),但是石墨加熱爐生產(chǎn)成本比二硅化鉬加熱器爐貴進(jìn)大慨叁萬(wàn)美元,并且石墨加熱爐容易被氧化,所以必需抽真空或通保護(hù)性氣體,另外值得注意的是: 石墨加熱爐控制爐溫及測(cè)試樣品溫度必須使用光學(xué)高溫計(jì),不能使用熱電偶,因?yàn)闊犭娕疾荒苣褪?700度以上溫度,但是普通光學(xué)高溫計(jì)不能測(cè)試出RT-900度數(shù)據(jù),如果測(cè)試RT至2000度使用普通光學(xué)高溫計(jì)測(cè)試900-2000度數(shù)據(jù),使用熱電偶測(cè)試RT-800數(shù)據(jù),它們之間不但相互更換繁瑣,且石墨爐對(duì)熱電偶有污染,造成使用成本加大(注明:美國(guó)安特公司解決此技術(shù)難題,使用的是黑體光學(xué)高溫計(jì), 黑體光學(xué)高溫計(jì)可以連續(xù)測(cè)量、光滑覆蓋從室溫到2800℃測(cè)溫?cái)?shù)據(jù),一次性測(cè)試出結(jié)果數(shù)據(jù)).